美光在摩根大通科技峰会上表示，受AI强劲需求驱动，HBM、DRAM及NAND的供应紧张局面预计将持续至2026年以后。供应扩张面临性能提升收窄、晶粒尺寸增大及EUV爬坡制约等结构性瓶颈，即便厂商全力推进产能建设，短期内仍难以填补AI带来的供给缺口。
AI算力军备竞赛正将全球存储芯片市场推向多年期的供应紧缺状态。
美光科技（Micron Technology）管理层在摩根大通年度科技峰会上表示，HBM、DRAM及NAND存储芯片的供应紧张局面预计将远远超出2026年，核心驱动力源自人工智能应用对高性能存储的强劲需求，而供应端受制于技术瓶颈难以快速扩产。
摩根大通在随后发布的投资报告中援引上述观点，并表示该行在听取美光管理层陈述后，对AI存储市场的多年牛市逻辑更具信心。供需缺口短期内难以逆转，这对存储行业投资者构成了明确信号。
供应扩张面临结构性制约
据摩根大通报告，美光指出存储市场供应紧张的成因具有结构性特征，并非单纯的产能周期问题。
具体而言，供给增长受限主要来自两方面：一方面，新一代存储芯片的性能提升幅度正逐步收窄，意味着仅靠技术迭代来扩大有效供给的空间已明显压缩。
另一方面，新一代HBM芯片的晶粒尺寸持续增大，导致单位晶圆产出的芯片数量下降，进一步削弱了供给弹性。此外，极紫外（EUV）光刻技术的引入虽有助于提升先进制程DRAM的制造精度，但同时也在产能爬坡速度与成本方面形成了新的约束。
上述因素叠加之下，即便存储厂商积极扩产，短期内仍难以快速填补AI需求所催生的供给缺口。
HBM4量产提速，1-gamma节点成历史最高产量节点
在产品进展方面，美光披露了若干关键信息。
美光管理层表示，受AI应用需求强劲拉动，公司1-gamma制程节点预计将成为其有史以来单位晶圆产出量最高的DRAM节点。HBM存储芯片通过将多层DRAM模块垂直堆叠封装而成，广泛应用于AI GPU，美光正持续将EUV光刻工艺整合至1-gamma节点的量产流程中。
在HBM产品迭代节奏上，美光透露HBM4的量产爬坡速度是HBM3的两倍。下一代HBM4E产品的量产爬坡预计于2027年启动，首批样品将采用基于1-gamma节点生产的DRAM模块。
AI推理需求扩张，带动SSD市场份额提升
除HBM与DRAM外，美光还指出AI工作负载的演变正在为其固态硬盘（SSD）业务创造新的增长机遇。
美光管理层表示，AI上下文窗口的持续扩大以及推理工作负载的快速增长，推动了对大容量、高性能存储的需求，公司借此在SSD市场实现了份额提升。
值得注意的是，美光强调其策略并非提供标准化现货产品，而是与客户深度协作，针对具体应用场景定制开发存储解决方案，这一模式有助于巩固客户粘性并提升产品溢价空间。
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