连续两天大跌后,存储板块开始“分化”:三星海力士企稳,“闪存”继续下跌

华尔街见闻03-27

谷歌一项提升AI推理效率的算法突破,正在存储芯片行业引发结构性分化:闪存企业股价持续承压,而高带宽内存(HBM)相关标的则相对企稳。

美股存储芯片板块连续两个交易日承压,闪迪(Sandisk)周四美股收盘重挫11%。周五,抛售情绪一度蔓延至亚太市场,韩国存储股延续下挫,SK海力士盘中跌超5%,三星电子跌幅逾4%。

然而,得益于HBM业务在AI训练领域的核心地位,为英伟达AI加速器供应高带宽内存的三星电子与SK海力士迅速企稳三星基本已收复全部跌幅,SK海力士跌幅亦收窄至1%,展现出优于闪存厂商的韧性。相比之下,铠侠等此前数月累计涨幅逾600%的个股则继续走低。

摩根士丹利分析师Tiffany Yeh在研报中指出,谷歌推出的“TurboQuant”技术通过压缩内存占用与数据移动量显著提升AI推理效率,但“并不会削弱对HBM等核心存储芯片的需求”。市场正逐步意识到,该技术对闪存企业构成的威胁远大于HBM领域。

闪存板块首当其冲,此前涨幅已大幅回吐

在人工智能普及预期推动下,闪存及存储产品制造商近月吸引大量投资者涌入。自8月底以来,Sandisk股价累计涨幅一度超过1000%,铠侠亦上涨逾600%,表现远优于三星电子、SK海力士及美光科技等传统存储巨头。

然而,本周市场情绪发生逆转。投资者在意识到谷歌技术突破的深远影响后,率先抛售上述企业股票。谷歌宣布,其TurboQuant算法可将大语言模型运行中特定环节所需内存压缩至少六分之一,从而显著降低人工智能的整体运营成本。市场担忧,此举将削弱Meta等超大规模数据中心运营商对存储器的采购需求,进而拖累智能手机与消费电子领域存储芯片价格。

彭博智库分析师Jake Silverman在研报中指出:“由于模型权重需存储在GPU内存中,HBM需求及美光所生产的DRAM大概率不受影响;相较之下,NAND闪存需求将面临更为深远的长期冲击。”

HBM需求逻辑未受动摇,三星与SK海力士企稳

与闪存板块持续下挫形成对比,高带宽内存(HBM)相关标的在此轮抛售中展现出较强韧性。三星电子周五已收复全部跌幅,SK海力士股价亦基本回到抛售前水平。

分析师认为,这一分化背后存在清晰的逻辑支撑。在AI大语言模型训练阶段,GPU对HBM的需求高度集中,而TurboQuant所优化的是推理环节的内存效率,并未触及训练侧对HBM的核心需求。三星与SK海力士此前正是凭借HBM产品在AI投资热潮初期成为市场宠儿,目前这一优势地位尚未因本次算法突破而动摇。

分析师:市场短期波动难掩行业长期叙事

值得注意的是,本轮存储芯片抛售发生在科技股整体估值面临审视的宏观背景下。中东局势引发的通胀担忧令市场对高估值股票趋于谨慎,投资者对消息面高度敏感,获利了结行为随时可能触发。

SGMC Capital首席投资官Ed Gomes表示,驱动AI技术落地与应用的硬件需求是长期结构性命题,“将在数年乃至数十年间持续演进,而非数日或数周”。他认为,围绕TurboQuant的抛售属于“短期噪音,为优质标的提供了很好的买入机会”。

不过,分析师亦指出,在AI效率算法持续迭代的背景下,存储芯片行业内部的分化格局或将进一步加剧。闪存企业能否重现此前的高增长预期,仍有待观察。

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